酸化物TFT製造プロセス

■ZnO系酸化物TFTの分類と構造
・トップゲート型(コンベンショナルタイプ、セルフアラインタイプ)
・ボトムゲート型(エッチングストッパー型、バックチャネル型、透明TFT)
・デュアルゲート型

■トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・5枚マスクプロセス
・4枚マスクプロセス

■セルフアライン構造トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)

■バックチャネルタイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・スタンダードプロセス(5枚マスク)
・4枚マスクプロセス
・n+ IGZO挿入型の5枚マスクプロセス

■エッチングストッパータイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
　・5枚マスクプロセス

■ボトムゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論)

■デュアルゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論)

■製造プロセス各論
　ソース/ドレイン形成プロセス
酸化物半導体層形成プロセス(IGZO、AZTO、ZnO、HfIZO)
　 塗布型酸化物半導体層形成プロセス
　 n+ IGZOスパッタリング成膜プロセス
ゲート絶縁膜形成プロセス
ゲート電極形成プロセス(真空成膜無機膜を用いる場合、塗布型材料を用いる場合)
　 ソース/ドレイン領域形成プロセス
　アニール処理プロセス
透明画素電極形成プロセス(真空成膜透明画素電極を用いる場合、反射画素電極を用いる場合、塗布型材料を用いる場合)
　 パッシベーション＆コンタクトホール形成プロセス

■フレキシブル基板製酸化物TFT作製における注意点
・加工されたフレキシブルサブストレートを用いる場合
・元基板にTFT＆デバイスを作製した後、プラスチックフィルムに転写する場合
・支持基板に樹脂膜を塗布・硬化後、TFT＆デバイスを作製し、支持基板をリリースして樹脂膜を基板に用いる場合

MAIN CONTENT
■ZnO系酸化物TFTの分類と構造・トップゲート型(コンベンショナルタイプ、セルフアラインタイプ) ・ボトムゲート型(エッチングストッパー型、バックチャネル型、透明TFT) ・デュアルゲート型 ■トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論) ・5枚マスクプロセス・4枚マスクプロセス ■セルフアライン構造トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論) ■バックチャネルタイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論) ・スタンダードプロセス(5枚マスク) ・4枚マスクプロセス・n+ IGZO挿入型の5枚マスクプロセス ■エッチングストッパータイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論) 　・5枚マスクプロセス ■ボトムゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論) ■デュアルゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論) ■製造プロセス各論　ソース/ドレイン形成プロセス酸化物半導体層形成プロセス(IGZO、AZTO、ZnO、HfIZO) 　塗布型酸化物半導体層形成プロセス　 n+ IGZOスパッタリング成膜プロセスゲート絶縁膜形成プロセスゲート電極形成プロセス(真空成膜無機膜を用いる場合、塗布型材料を用いる場合) 　ソース/ドレイン領域形成プロセス　アニール処理プロセス透明画素電極形成プロセス(真空成膜透明画素電極を用いる場合、反射画素電極を用いる場合、塗布型材料を用いる場合) 　パッシベーション＆コンタクトホール形成プロセス ■フレキシブル基板製酸化物TFT作製における注意点・加工されたフレキシブルサブストレートを用いる場合・元基板にTFT＆デバイスを作製した後、プラスチックフィルムに転写する場合・支持基板に樹脂膜を塗布・硬化後、TFT＆デバイスを作製し、支持基板をリリースして樹脂膜を基板に用いる場合	▲デバイス構造
	▲プロセスフローサンプル①
	▲プロセスフローサンプル②